1. 超高真空磁控溅射与普通磁控溅射相比，能更好地避免薄膜沉积过程中样品表面沾污以及杂质的引入；

2. UHV-SPUTTER多应用于纳米-微米级金属材料，陶瓷材料，磁性材料等薄膜沉积，是半导体工艺中十分重要的步骤；

3. UHV-SPUTTER可与MOCVD,ALD等生长设备及XPS等测试设备互联，实现多层复合膜系的沉积及界面调控与表征。

03关键性能指标

基片加热（室温~600℃）；

溅射腔本底极限真空：4E-10 Torr；

溅射真空：≥1.9 mTorr；

拥有直流电源(~1 kW)和射频电源(~600 W)；

工艺气体：Ar(~100 sccm)，O₂(~100 sccm)，N₂(~100 sccm)；

不均匀性：≤5%；

冷却水：1.5~3 L/min；

溅射速率：0.1~10 A/s。

04设备功能

材料生长

1. 常规金属：Ti，Ta，Cu，Cr，W，Al， Co，Ni 等；

2. 贵金属材料： Pd，Pt，Au；

3. 陶瓷材料：TiN，TaN，ITO。

05设备案例

1. TEM图像展示，真空互联MOCVD→UHV-SPUTTER样品相较于暴露大气样品，界面更清晰，排列更整齐。

2. SIMS表征超高真空传送下样品相较于暴露大气样品C,O含量更低。

3. 沉积Au/Pt/Pd金属分层清晰，过渡平滑，体内基本无C,O。

4. 精确控制沉积10nm以下薄膜厚度，Pd:2-8nm沉积。

5. 沉积高致密性金属Ni膜，后续退火可得单晶薄膜。

06制样要求

标准两寸片，碎片或小片可选择粘贴或点焊在2寸Mo托上。

设备地址：

江苏省苏州市工业园区若水路385号上善苑

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