纳米真空互联实验站设备介绍第21期——UHV-Sputter-2 超高真空磁控溅射-2

2023-10-10
01设备简介

设备品牌:

上海实路真空技术工程有限公司Shanghai Shilu Instruments Co., Ltd.

 

设备型号:

UHV Sputter -350L

 

设备原理:

一种较为常用的PVD镀膜法,在真空室中,利用低压气体放电现象,使处于等离子状态下的离子轰击靶表面,并利用环状磁场控制辉光放电,使溅射出的粒子沉积在基片上,从而得到均匀优质的薄膜。

 

应用领域:

适用于绝大部分器件工艺、表面装饰等领域,在高温超导薄膜、太阳能电池、记忆合金等薄膜研究方面起到重要作用,快速沉积优质超硬膜,增透膜,表面功能膜等适应科技领域前沿方向。

 

主要特点:

1. 溅射靶枪:4支标准靶枪,1支为强磁靶枪;

2. 工艺气体:Ar、N2O2;

3. 沉积温度:室温-750℃;

4.  极限真空:3E-10 Torr;

5. 兼容样品:2英寸;

6. 膜厚不均匀性:≤5%;

7. 衬底偏压:0-50 W;

8. 石英灯除气:0-350℃。

02真空互联特色

互联转接制作中

03关键性能指标

基片加热(室温~700℃);

溅射腔本底极限真空:3E-10 Torr

溅射真空:≥1.9 mTorr

拥有直流电源(~500 W)和射频电源(~300 W)

工艺气体:Ar(~200 sccm),O2(~100 sccm),N2(~100 sccm);

不均匀性:≤5%;

冷却水:1.5~3 L/min;

溅射速率:0.1~10 A/s

04设备功能

材料生长:

1. 常规金属:TiTaNbCuWAlNi等;

2. 陶瓷材料:STOITO

05设备案例
ITO:可见光波段,平均透过率≥95%
06制样要求
标准两寸片,碎片或小片可选择粘贴或点焊在2Mo托上。

设备地址:

江苏省苏州市工业园区若水路385号上善苑

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